Narrow linewidth near-UV InGaN laser diode based on external cavity fiber Bragg grating
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We realize a fiber Bragg grating InGaN-based laser diode emitting at 400 nm and demonstrate its high coherency. Thanks to the fabrication of a narrowband fiber Bragg grating in the near-UV, we can reach single-mode and single-frequency regimes for the self-injection locked diode. The device exhibits 44 dB side-mode suppression ratio and mW output power. Detailed frequency noise analysis reveals sub-MHz integrated linewidth and 16 kHz intrinsic linewidth. Such a narrow linewidth laser diode in the near-UV domain with a compact and low-cost design could find applications whenever coherency and interferometric resolutions are needed.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Narrow linewidth near-UV InGaN laser diode based on external cavity fiber Bragg grating
- Date Crossref
- 24/02/2021
- Éditeur
- Optica Publishing Group
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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