Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2021 article

Into the origin of electrical conductivity for the metal–semiconductor junction at the atomic level

5Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : pl. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

The metal–semiconductor (M-S) junction based devices are commonly used in all sorts of electronic devices. Their electrical properties are defined by the metallic phase properties with a respect to the semiconductor used. Here we make an in-depth survey on the origin of the M-S junction at the atomic scale by studying the properties of the AuIn2 nanoelectrodes formed on the InP(0 0 1) surface by the in situ electrical measurements in combination with a detailed investigation of atomically resolved structure supported by the first-principle calculations of its local electrical properties. We have found that a different crystallographic orientation of the same metallic phase with a respect to the semiconductor structure influences strongly the M-S junction rectifying properties by subtle change of the metal Fermi level and influencing the band edge moving at the interface. This ultimately changes conductivity regime between Ohmic and Schottky type. The effect of crystallographic orientation has to be taken into account in the engineering of the M-S junction-based electronic devices.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Into the origin of electrical conductivity for the metal–semiconductor junction at the atomic level
Date Crossref
01/12/2021
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Jagiellonian University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Institute of Physics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • AGH University of Krakow pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • The Faculty of Chemistry pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Faculty of Metals Engineering and Industrial Computer Science and the International Centre of Electron Microscopy for Materials Science pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Jagiellonian University, Institute of Physics et AGH University of Krakow, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Surface and Thin Film PhenomenaSemiconductor materials and interfacesMolecular Junctions and Nanostructures

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.