Silicon Carbide 3C-SiC phase band structures calculation in DFT
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Le résumé fourni par la source
Abstract The 3C-SiC Silicon Carbide phase doped by P, Ga, and N atoms was analyzed in the framework of Density Functional Theory. The physical parameters, changing with time due to N concentration increase, were calculated. Crucial statements about the existence of the deepest level were checked. Calculations of band structures were performed using the software applications VASP and Siesta. The plane wave basis was used in the first case and the orbital basis in the frame of the virtual crystal approach in the second one.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Silicon Carbide 3C-SiC phase band structures calculation in DFT
- Date Crossref
- 01/12/2020
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Samara National Research University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Russia Samara University Samara 443100 pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Samara National Research University et Samara 443100 — Russia Samara University.
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