A Novel 6.5 kV Innovative Silicon Power Device (i-Si) with a Digital Carrier Control Drive (DCC-drive)
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Le résumé fourni par la source
A novel system configuration of 6.5 kV rated innovative silicon (i-Si) power module combining a digital carrier control drive (DCC-drive) is proposed. Controlling the stored carriers' density dynamically using digital signals through gate driver during the conduction of Dual side-gate high-conductivity IG BT (Dual-gate HiGT) and a MOS controllable stored-carrier diode (MOSD) can break through the leading-edge IGBT's loss limit. A simulated 6.5 kV inverter system demonstrated -25% power loss from leading-edge IGBTs.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- A Novel 6.5 kV Innovative Silicon Power Device (i-Si) with a Digital Carrier Control Drive (DCC-drive)
- Date Crossref
- 01/09/2020
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Hitachi (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Ltd Hitachi pays non établi dans la noticeEntreprise
Hitachi (Japan) et Hitachi — Ltd.
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