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2019 conference-paper

Dose Response of MOS Transistors Irradiated at Low Temperatures

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4Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : fr, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

International audience

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

Aucun DOI disponible pour le contrôle Crossref.

Où se fait cette recherche

  • Institut d'Électronique et des Systèmes pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Orion Corporation (United Kingdom) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Centre National d'Études Spatiales pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Radiations et composants pays non établi dans la notice
    Institution
  • TMI-ORION pays non établi dans la notice
    Institution
  • CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) pays non établi dans la notice
    Institution
  • Centre Nat. d'Etudes Spatiales pays non établi dans la notice
    Institution

Institut d'Électronique et des Systèmes, Orion Corporation (United Kingdom) et Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, avec 5 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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