Dose Response of MOS Transistors Irradiated at Low Temperatures
Rattachement africain : fr, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
International audience
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
Où se fait cette recherche
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Institut d'Électronique et des Systèmes pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Orion Corporation (United Kingdom) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Centre National d'Études Spatiales pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Radiations et composants pays non établi dans la noticeInstitution
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TMI-ORION pays non établi dans la noticeInstitution
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CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) pays non établi dans la noticeInstitution
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Centre Nat. d'Etudes Spatiales pays non établi dans la noticeInstitution
Institut d'Électronique et des Systèmes, Orion Corporation (United Kingdom) et Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, avec 5 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.