Quasimetallic behavior of carrier-polarized C60 molecular layers: Experiment and theory
Résumé fourni par la source
Although ${\mathrm{C}}_{60}$ is an insulator with a band gap ${E}_{g}$ of $\ensuremath{\sim}2.5\phantom{\rule{0.3em}{0ex}}\mathrm{eV}$, we show experimentally and theoretically that ${E}_{g}$ is strongly affected by image forces and injected charges. In sharp contrast to the Coulomb blockade typical of quantum dots, ${E}_{g}$ is reduced by Coulomb effects. The conductance of a micron-sized ${\mathrm{C}}_{60}$ film sandwiched between metal (Al, Ag, Au, Mg, and Pt) contacts is investigated. Excellent Ohmic conductance holds for ${\mathrm{C}}_{60}$ layers at room temperature, on using $\mathrm{Al}∕\mathrm{Li}\mathrm{F}$ bilayer contacts. Arrhenius type activated conductivity with an activation gap of $\ensuremath{\sim}0.16\phantom{\rule{0.3em}{0ex}}\mathrm{eV}$ is found.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Quasimetallic behavior of carrier-polarized<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi><mml:mn>60</mml:mn></mml:msub></mml:math>molecular layers: Experiment and theory
- Date Crossref
- 28/10/2005
- Éditeur
- American Physical Society (APS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.