High‐Temperature PIN Diodes Based on Amorphous Hydrogenated Silicon‐Carbon Alloys and Boron‐Doped Diamond Thin Films
Rattachement africain : cz, sk, ru. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Amorphous SiC:H (a‐SiC:H) diode structures with different ratios of Si:C are deposited on transparent conductive boron‐doped diamond‐coated fused silica substrates by plasma‐enhanced chemical vapor deposition. The boron‐doped diamond thin films have been deposited at temperature 720 °C on the fused silica substrates with a Ti grid used to enhance electrical conductivity. The thin‐film structures based on P‐type, Intrinsic and N‐type a‐SiC:H thin films, shortly a‐SiC:H PIN diodes, are characterized by current–voltage measurements under solar simulator illumination. For comparison, the same PIN structures are deposited on fluorine‐doped tin oxide. Before deposition of the diode structures, the surface morphology is studied by scanning electron microscopy, and undoped layers deposited on the quartz substrates are characterized by temperature‐resolved electrical resistivity, optical absorptance, Raman spectroscopy, and photoluminescence.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High‐Temperature PIN Diodes Based on Amorphous Hydrogenated Silicon‐Carbon Alloys and Boron‐Doped Diamond Thin Films
- Date Crossref
- 20/04/2020
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Czech Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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FZU ‒ Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech Republic pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Physics of the Slovak Academy of Sciences pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Russian Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Novosibirsk State University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Institute of Semiconductor Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Czech Academy of Sciences, FZU ‒ Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech Republic et Institute of Physics of the Slovak Academy of Sciences, avec 3 autres affiliations.
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