2018 conference-abstract

High mobility (>30 cm2/Vs) and Low S/D Parasitic Resistance In-Zn-O BEOL Transistor with Ultralow (<10-20 A/um) Off Leakage Current

Nobuo Saito, Tomoaki Sawabe, J. Kataoka, Tomomasa Ueda, T. Tezuka, Keiji Ikeda

2Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

0Institutions déclarées

0Pays d’affiliation déclarés

Le résumé fourni par la source

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials,High mobility (>30 cm2/Vs) and Low S/D Parasitic Resistance In-Zn-O BEOL Transistor with Ultralow (<10-20 A/um) Off Leakage Current

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref: High mobility (>30 cm2/Vs) and Low S/D Parasitic Resistance In-Zn-O BEOL Transistor with Ultralow (<10-20 A/um) Off Leakage Current
Date Crossref: 12/09/2018
Éditeur: The Japan Society of Applied Physics
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesZnO doping and propertiesSemiconductor materials and devices

Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI