Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip
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13Institutions déclarées
8Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : at, ch, ru, cz, nl, ca, us, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip
- Date Crossref
- 01/04/2020
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
University of ViennaEuropean Organization for Nuclear ResearchNational Research Nuclear University MEPhICzech Technical University in PragueNational Institute for Subatomic PhysicsUniversité de MontréalUniversity of West Bohemia in PilsenJoint Institute for Nuclear ResearchInstitute for Nuclear ResearchLouisiana State UniversityIstituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di BariPolytechnic University of BariP.N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Particle Detector Development and PerformanceRadiation Detection and Scintillator TechnologiesAtomic and Subatomic Physics Research