Assessment of Bulk and Interface Quality for Liquid Phase Crystallized Silicon on Glass
Rattachement africain : de, si. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper reports on the electrical quality of liquid phase crystallized silicon (LPC-Si) on glass for thin-film solar cell applications. Spatially resolved methods such as light beam induced current (LBIC), microwave photoconductance decay (MWPCD) mapping, and electron backscatter diffraction were used to access the overall material quality, intra-grain quality, surface passivation, and grain boundary (GB) properties. LBIC line scans across GBs were fitted with a model to characterize the recombination behavior of GBs. According to MWPCD measurement, intra-grain bulk carrier lifetimes were estimated to be larger than 4.5 μs for n-type LPC-Si with a doping concentration in the order of 1016cm-3. Low-angle GBs were found to be strongly recombination active and identified as highly defect-rich regions which spatially extend over a range of 40-60 μm and show a diffusion length of 0.4 μm. Based on absorber quality characterization, the influence of intra-grain quality, heterojunction interface, and GBs/dislocations on the cell performance were separately clarified based on two-dimensional (2-D)-device simulation and a diode model. High back surface recombination velocities of several 105cm/s are needed to get the best match between simulated and measured open circuit voltage (Voc), indicating back surface passivation problem. The results showed that Voclosses are not only because of poor back surface passivation but also because of crystal defects such as GBs and dislocation.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Assessment of Bulk and Interface Quality for Liquid Phase Crystallized Silicon on Glass
- Date Crossref
- 01/03/2019
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Ljubljana pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Institute for Silicon Photovoltaics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Faculty of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Helmholtz Zentrum Berlin für Materialen und Energie GmbH PVcomB pays non établi dans la noticeEntreprise
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Institute of Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, University of Ljubljana et Institute for Silicon Photovoltaics, avec 3 autres affiliations.
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