Voltage-Induced Charge Redistribution in Cu(In,Ga)Se2 Devices Studied With High-Speed Capacitance–Voltage Profiling
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Devices made from Cu(In,Ga)Se2(CIGS) solar cell material have been evaluated with high-speed capacitance-voltage profiling after stepwise voltage changes. The changes primarily affect near-interface charge at deep acceptors within the CIGS absorber layer and generate temperature-dependent capacitance changes observed in deep-level transient spectroscopy measurements. SCAPS device modeling indicates that the deep acceptor concentration is up to the two orders of magnitude higher than the shallow doping level. High deep acceptor concentrations are found in all materials studied here. The large deep defect levels are high enough to limit minority carrier lifetime and cell efficiency.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Voltage-Induced Charge Redistribution in Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub> Devices Studied With High-Speed Capacitance–Voltage Profiling
- Date Crossref
- 01/01/2019
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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