Simulation of drive-level capacitance profiling to interpret measurements on Cu(In, Ga)Se2Schottky devices
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Le résumé fourni par la source
A simulation is presented for drive-level capacitance profiling (DLCP) of Schottky diodes that allows a continuous distribution of defect states in both energy and depth. The simulation is used to interpret high frequency DLCP data for a Cu(In,Ga)Se2Schottky device.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Simulation of drive-level capacitance profiling to interpret measurements on Cu(In, Ga)Se2Schottky devices
- Date Crossref
- 01/06/2017
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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