2018 article

急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験

駿 百瀬, 次郎 井田, 拓弥 山田, 健治 伊東, 孝一郎 石橋, 康夫 新井

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
0Institutions déclarées
0Pays d’affiliation déclarés
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

Aucun DOI disponible pour le contrôle Crossref.

Les sujets associés

Radio Frequency Integrated Circuit DesignAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignAdvancements in PLL and VCO Technologies
Consulter la publication primaire

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.