Epitaxy of (GaN)1−x(ZnO)x Solid-Solution Thin Films with Widely Tunable Chemical Composition and Strong Visible Absorption
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Le résumé fourni par la source
Solid solutions of the wide-band-gap semiconductors ZnO and GaN hold great promise for diverse optoelectronic applications, including photocatalysis, photovoltaics, and light-emitting diodes. However, the difficulty of synthesizing single-crystalline samples of these alloys thwarts a deeper understanding of their physics. The authors develop a technique for low-temperature epitaxy to solve this problem, and present a systematic investigation of the optical properties and electronic structure of the system. This epitaxy technique could be used to fabricate high-quality alloys or superlattices of various oxynitride systems for advanced optoelectronics.
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- Titre Crossref
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- Date Crossref
- 01/10/2018
- Éditeur
- American Physical Society (APS)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Kanagawa Academy of Science and Technology pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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The University of Tokyo Department of Chemistry pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Leipzig University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Felix-Bloch-Institut für Festkörperphysik pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Memory Technology Research & Development pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Kanagawa Academy of Science and Technology, Department of Chemistry — The University of Tokyo et Leipzig University, avec 3 autres affiliations.
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