光学浮区法生长Si∶beta-Ga_2O_3单晶及其光谱研究
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采用浮区法生长了质量较好的Si:beta-Ga_2O_3单晶,直径约为8 mm,长度约为2 cm。进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si:beta-Ga_2O_3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了beta-Ga_2O_3格位中;在室温下测试了Si:beta-Ga_2O_3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响;测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响。
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
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Les sujets associés
Ga2O3 and related materialsSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductor materials and interfaces