Low Frequency Drain Noise Characterization of Different Technologies of GaN HEMTs:Investigation of Trapping Mechanism
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this paper, we attempt to characterize the low-frequency (LF) drain noise characteristics of 0.25- μ m ultra-short gate length GaN HEMT devices fabricated using different transistor technology. LF drain noise characteristics have been measured using the dedicated test-bench over the frequency range of 100 Hz to 1 MHz and for varying chuck temperatures (Tchuck) ranging between 25 ° C and 125 ° C. The measurement characteristics demonstrate the existence of two traps in both the AlN/GaN and AlGaN/GaN HEMT transistor technologies grown on SiC substrate. Interestingly, no signature of trapping mechanism has been observed in InAlN/GaN HEMT transistor technology.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low Frequency Drain Noise Characterization of Different Technologies of GaN HEMTs:Investigation of Trapping Mechanism
- Date Crossref
- 01/07/2018
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.