Aller au contenu principal
2018 article

Mechanism of Ag sulfurization resistance improvement by alloying solutes in Ag-based alloy films

5Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
1Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

The Ag sulfurization resistance of the pure Ag film and four Ag-based alloy films was evaluated by the reflectance decay after the Ag sulfurization test. Among all Ag-based alloy films, the In alloying solute in the Ag-In alloy film shows the best resistance to the Ag sulfurization. Using x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the chemical state of the alloying solutes in the Ag-based alloy films was examined. It is found that, with being alloyed in the Ag matrix phase, the 3d5/2 core-level peak positions of the alloying solutes (In, Sn, and Pd) shift toward the lower binding energy region, which is defined as a negative chemical shift. The chemical shifts of In, Sn, and Pd alloying solutes are –0.31 eV, –0.23 eV, and –0.2 eV, respectively. The absolute value of the negative chemical shift represents the tendency of Ag atoms losing valence electrons to the alloying solutes. As the Ag atoms lose valence electrons to the alloying solutes, the Ag atoms have a less tendency to provide the valence electrons to form covalent bonding with S atoms, which suppresses the Ag sulfurization reaction (2Ag + S → Ag2S). Therefore, the larger the absolute value of the negative chemical shift, the higher is the reflectance decay (lesser Ag sulfurization resistance).

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Mechanism of Ag sulfurization resistance improvement by alloying solutes in Ag-based alloy films
Date Crossref
26/06/2018
Éditeur
AIP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesChalcogenide Semiconductor Thin Films

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.