Passivation of Liquid‐Phase Crystallized Silicon With PECVD‐SiNxand PECVD‐SiNx/SiOx
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Le résumé fourni par la source
Silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) grown with plasma‐enhanced chemical vapor deposition are used to passivate the front‐side of liquid‐phase crystallized silicon (LPC‐Si). The dielectric layer/LPC‐Si interface is smooth and layers are well‐defined as demonstrated with transmission electron microscopy. Using electron energy loss spectroscopy a thin silicon oxynitride is detected which is related to oxidation of the SiNxprior to the silicon deposition. The interface defect state density (Dit) and the effective fixed charge density (QIL,eff) are obtained from high‐frequency capacitance‐voltage measurements on developed metal‐insulator‐semiconductor structures based on SiOx/SiNx/LPC‐Si and SiOx/SiNx/SiOx/LPC‐Si sequences. Charge transfer across the SiNx/LPC‐Si interface is observed which does not occur with the thin SiOxbetween SiNxand LPC‐Si. The SiOx/SiNx/LPC‐Si interface is characterized byQIL,eff > 1012 cm−2andDit,MG>1012 eV−1 cm−2. With SiOx/SiNx/SiOxstack, both parameters are around one order of magnitude lower. Based on obtainedQIL,effandDit(E) and capture cross sections for electrons and holes ofσn = 10−14 cm s−1andσp = 10−16 cm s−1, respectively, a front‐side surface recombination velocity in the range of 10 cm s−1at both interfaces is determined using the extended Shockley‐Read‐Hall recombination model. Results indicate that field‐effect passivation is strong, especially with SiOx/SiNxstack.
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- Titre Crossref
- Passivation of Liquid‐Phase Crystallized Silicon With PECVD‐SiN<i><sub>x</sub></i>and PECVD‐SiN<i><sub>x</sub></i>/SiO<i><sub>x</sub></i>
- Date Crossref
- 06/06/2018
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Pontificia Universidad Católica del Perú pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Humboldt-Universität zu Berlin pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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PVcomB/Helmholtz‐Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH Schwarzschildstr. 3 12489 Berlin Germany pays non établi dans la noticeEntreprise
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Institute for Silicon Photovoltaics/Helmholtz‐Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH Kekuléstraße 5 12489 Berlin Germany pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Pontifica Universidad Católica del Perú Av. Universitaria 1801 San Miguel Lima 32 Peru pays non établi dans la noticeInstitution
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Department Nanoscale Structures and Microscopic Analysis/Helmholtz‐Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH Hahn‐Meitner‐Platz 1 14109 Berlin Germany pays non établi dans la noticeEntreprise
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Humboldt University of Berlin Newtonstraße 15 12489 Berlin Germany Institute of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Pontificia Universidad Católica del Perú et Humboldt-Universität zu Berlin, avec 5 autres affiliations.
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