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2018 conference-paper

A line of 4–40 GHz GaAs low noise medium power amplifiers for SDH relay stations

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Rattachement africain : ru. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This paper presents a line of 4-40 GHz GaAs low noise medium power amplifiers for SDH stationary relay stations with adaptive change of modulation scheme depending on jamming situation. Because of given application, broadband low noise amplifier MMICs provide also increased output power up to medium level. The line of three amplifier MMICs is optimized for noise figure performance down to 1.0-3.0 dB simultaneously with maximum output power at 1 dB gain compression point higher than 10 dBm throughout the allocated bandwidth, having gain of 20-30 dB. The chips for all three amplifiers are fabricated using a 0.15 μm GaAs pHEMT Foundry process provided by UMS.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
A line of 4–40 GHz GaAs low noise medium power amplifiers for SDH relay stations
Date Crossref
01/03/2018
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Rostov-on-Don Research Institute of Radio Communications pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Rostov-on-Don Research Institute of Radio Communications.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Radio Frequency Integrated Circuit DesignMicrowave Engineering and WaveguidesSemiconductor Quantum Structures and Devices

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