Aller au contenu principal
2016 conference-paper

100W C-band GaN solid state power amplifier with 50% PAE for satellite use

6Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
1Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

100W C-band gallium nitride solid state power amplifier (GaN SSPA) was developed for satellite use. GaN SSPA has already been applied to various fields such as ground stations and radar systems. Mitsubishi Electric TOKKI Systems (MELOS) had succeeded in developing 150W S-band GaN SSPA and 70W C-band GaN SSPA for satellite use in the past. Based on these development results of the GaN SSPA, MELOS further developed a 100W C-Band GaN SSPA with power added efficiency (PAE) of 50%. In order to achieve higher power and efficiency, MELOS selected a new GaN device and optimized the matching circuit and improved the efficiency of electrical power conditioner (EPC). Furthermore, MELOS adopted MMICs in the RF Low Power Section and optimized the chassis to reduce size. Development result showed that, together with EPC, the GaN SSPA achieved an output power of 119.3W max with PAE of 53.4% max. The mass was 1.45 kg and environment tests at QT level proved that the GaN SSPA is applicable to space use. To the best of our knowledge, the GaN SSPA in this study achieves the highest PAE of C-band GaN SSPA ever reported over 100 W output power. MELOS will continue to pursue further its potential capabilities.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
100W C-band GaN solid state power amplifier with 50% PAE for satellite use
Date Crossref
01/12/2016
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Mitsubishi Electric (Japan) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Space System & Electronic Engineering Department pays non établi dans la notice
    Institution

Mitsubishi Electric (Japan) et Space System & Electronic Engineering Department.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsEnergy Harvesting in Wireless NetworksRadio Frequency Integrated Circuit Design

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.