Electron-beam annealing of Co and Cr implanted polycrystalline silicon
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Le résumé fourni par la source
Co and Cr disilicides were created by first implanting the metal ions into polycrystalline silicon films at 5 × 10 17 ions/cm 2 and 350 keV and then annealing using furnace or electron-beam techniques. The results are compared in terms of sheet resistance and surface morphology of the resulting silicide films. It was found that Co implanted material which had been e-beam annealed gave the lowest sheet resistance of 0.9 Ω/square. Furnace annealing produced higher sheet resistance values due to diffusion effects in the poly-Si.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Electron-beam annealing of Co and Cr implanted polycrystalline silicon
- Date Crossref
- 25/11/2020
- Éditeur
- CRC Press
- Type
- book-chapter
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Les institutions déclarées
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