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Accès ouvert déclaré 2017 article

Opto-valleytronic imaging of atomically thin semiconductors

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Rattachement africain : de, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Opto-valleytronic imaging of atomically thin semiconductors
Date Crossref
16/01/2017
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Center for NanoScience pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Munich Center for Quantum Science and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Ludwig-Maximilians-Universität München pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Rice University Department of Materials Science and NanoEngineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Los Alamos National Laboratory Materials Physics and Applications Division pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Los Alamos National Security (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Fakultät für Physik pays non établi dans la notice
    Institution

Center for NanoScience, Munich Center for Quantum Science and Technology et Ludwig-Maximilians-Universität München, avec 4 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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