脉冲激光沉积制备γ-LiAlO 2 单晶薄膜覆盖层衬底的方法
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一种脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，首先是γ-LiAlO2的制备，然后利用脉冲激光淀积将γ-LiAlO2靶材的表层分子熔蒸出来，在加热的α-Al2O3或硅等衬底上沉积生成γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层。本发明方法具有工艺简单、易操作，此种结构的衬底适合于高质量GaN的外延生长。
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