The ratio Oxygen/Zinc effect on photoluminescence emission line at 3.31 eV in ZnO nanowires
Rattachement africain : Tunisie, fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We have studied the photoluminescence emission line at 3.31 eV in ZnO nanowires. In undoped ZnO, this band strongly depends on high oxygen concentration and could originate from recombination of bound-exciton complex related to structural defects. Conversely, in doped ones, the photoluminescence emission appears notably at a low VI/II ratio and with the emergence of donor-acceptor pair emission due to the presence of α-No nitrogen complex, which acts as a shallow acceptor in ZnO. We found that this band corresponds to 3LO, the third phonon replica of resonant Raman scattering. Furthermore, a remarkable variation is detected in a number of resonant Raman scattering multiphonons.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- The ratio Oxygen/Zinc effect on photoluminescence emission line at 3.31 eV in ZnO nanowires
- Date Crossref
- 27/05/2016
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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