Theoretical investigation of strained InGaAs/GaPAsSb type-II quantum wells on GaAs for long wavelength (1.3 µm) optoelectronic devices
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Theoretical investigation of strained InGaAs/GaPAsSb type-II quantum wells on GaAs for long wavelength (1.3 µm) optoelectronic devices
- Date Crossref
- 01/01/1999
- Éditeur
- OSA
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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