Gd doping improved resistive switching characteristics of TiO2-based resistive memory devices
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- Titre Crossref
- Gd doping improved resistive switching characteristics of TiO2-based resistive memory devices
- Date Crossref
- 18/09/2007
- Éditeur
- The Japan Society of Applied Physics
- Type
- proceedings-article
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Les sujets associés
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