Radiation hardness of VA1 with submicron process technology
Rattachement africain : jp, us, no. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We have studied the radiation hardness of the VA1, a Viking-architecture preamplifier VLSI chip. Large-scale integrated (LSI) samples are fabricated in 0.8 and 0.35 /spl mu/m process technologies to improve the radiation hardness of the LSI for the Belle silicon vertex detector upgrade. We have observed significant improvement of the radiation hardness with 0.8-/spl mu/m technology compared to 1.2-/spl mu/m technology. Little degradation of noise and gain is observed up to a total dose of 20 Mrd for the VA1 fabricated in the 0.35-/spl mu/m technology. We find that the radiation hardness improves with a scaling of better than t/sub ox//sup -6/ (t/sub ox/: oxide thickness). Basic parameters of MOSFETs are also studied to understand the mechanism of radiation damage in the VA1.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Radiation hardness of VA1 with submicron process technology
- Date Crossref
- 01/06/2001
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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