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2005 conference-paper

BARITT Diode Video Detectors

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1Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

The video detection properties of the BARITT diode are described, and experimental and theoretical results for several diode structures are presented. Measured noise equivalent power (NEP) values of less than -99 dBm are reported for a K-band diode in its negative-resistance region. For frequencies beyond those in the negative-resistance region, the detection properties are projected to compare favorably with those of a Schottky-barrier.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
BARITT Diode Video Detectors
Date Crossref
23/03/2005
Éditeur
MTT005
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • University of Michigan Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Department of Electrical and Computer Engineering — University of Michigan.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Semiconductor Quantum Structures and DevicesAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRadio Frequency Integrated Circuit Design

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