Fabrication and characterization of quantum Hall devices for the resistance standard at CMS
Rattachement africain : tw, au. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We fabricated AlGaAs/GaAs heterostructure-based quantum Hall devices for the resistance standard at Center for Measurement Standards (CMS). The measurements using a Direct Current Comparator (DCC) show the consistency between the plateaus of v=2 and 4 at the temperature T=2 K, where v is the filling factor. On the other hand, the plateaus of higher filling factors may be susceptible to the reduced localization strength, under which the semiclassical effects can be important. The coexistence of localization-induced gaps and semiclassical transport is discussed.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Fabrication and characterization of quantum Hall devices for the resistance standard at CMS
- Date Crossref
- 01/06/2010
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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