1995 article

New profiled silicon PIN photodiode for scintillation detector

Yutaka Saitoh, Tadao Akamine, K. Satoh, M. Inoue, J. Yamanaka, Kenji Aoki, Shin-ichi Miyahara, Masaaki KAMIYA, H. Ikeda, Sylvie Avrillon, S. Okuno

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Le résumé fourni par la source

Silicon photodiodes (planar PIN) are employed for the readout of scintillation shower counters. We have already reported on a new doping method called molecular layer doping (MLD) which has been developed for very large scale integrated (VLSI) technologies. In this study, several types of PIN photodiodes, in which a p/sup +/ layer was formed by MLD (MLD-PIN) or BF/sub 2/ ion implantation (BF/sub 2/ I/I-PIN), have been examined. The MLD-PIN has a shallow p/sup +/ junction depth (x/sub j/) with sufficient high surface concentration, and simply and easily provides good performance for short-wavelength photosensitivity.>

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: New profiled silicon PIN photodiode for scintillation detector
Date Crossref: 01/08/1995
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type: journal-article

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Où se fait cette recherche

Seiko Holdings (Japan) pays non établi dans la notice
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Seiko (United States) pays non établi dans la notice
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Seiko Instruments Inc. (Japan) [Seiko Instruments pays non établi dans la notice
Entreprise
High Energy Accelerator Research Organization pays non établi dans la notice
Structure de recherche
The Graduate University for Advanced Studies Department of Accelerator Science pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
National Laboratory for High Energy Physics pays non établi dans la notice
Structure de recherche

Seiko Holdings (Japan), Seiko (United States) et [Seiko Instruments — Seiko Instruments Inc. (Japan), avec 3 autres affiliations.

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