Growth of Ga2O3 and GaP nanowires synthesized from mixed Ga/GaP powder as a precursor
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Growth of Ga2O3 and GaP nanowires synthesized from mixed Ga/GaP powder as a precursor
- Date Crossref
- 01/02/2008
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Gyeongsang National University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Nano & Advanced Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Jinju National University Department of Mechanical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Gyeongsang National University, School of Nano & Advanced Materials Engineering et Department of Mechanical Engineering — Jinju National University.
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