Temperature-dependent void formation and growth at ion-irradiated nanocrystalline CeO2–Si interfaces
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Temperature-dependent void formation and growth at ion-irradiated nanocrystalline CeO2–Si interfaces
- Date Crossref
- 01/04/2014
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Oak Ridge National Laboratory Materials Science and Technology Division pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Tennessee at Knoxville pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Pacific Northwest National Laboratory EMSL pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Orano (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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University of Nebraska Medical Center pays non établi dans la noticeÉtablissement de santé
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The University of Tennessee Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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TN International/AREVA pays non établi dans la noticeInstitution
Materials Science and Technology Division — Oak Ridge National Laboratory, University of Tennessee at Knoxville et EMSL — Pacific Northwest National Laboratory, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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