p-channel modulation-doped field-effect transistors based on AlSb/sub 0.9/As/sub 0.1//GaSb
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Operation of the first AlSbAs/GaSb p-channel modulation-doped field-effect transistor (MODFET) is reported. Devices with 1- mu m gate length exhibit transconductance of 30 and 110 mS/mm at room temperature and 80 K, with respective maximum drain current densities of 25 and 80 mA/mm. The low field Hall mobility and sheet carrier density of this modulation doped structure were 260 cm/sup 2//V-s and 1.8*10/sup 12/ cm/sup -2/ at room temperature and 1700 cm/sup 2//V-s and 1.4*10/sup 12/ cm/sup -2/ at 77 K. Calculations based on these results indicate that room-temperature transconductances of 200 mS/mm or greater could be achieved. This device can be integrated with an InAs n-channel HFET for complementary circuit applications.>
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- p-channel modulation-doped field-effect transistors based on AlSb/sub 0.9/As/sub 0.1//GaSb
- Date Crossref
- 01/12/1990
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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