Introduction of high oxygen concentrations into silicon wafers by high-temperature diffusion
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Introduction of high oxygen concentrations into silicon wafers by high-temperature diffusion
- Date Crossref
- 01/12/1999
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of Liverpool pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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European Organization for Nuclear Research pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Electron Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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CERN pays non établi dans la noticeInstitution
University of Liverpool, European Organization for Nuclear Research et Institute of Electron Technology, avec 1 autre affiliation.
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