Fabrication and characterization of antimonide-based composite-channel InAs/AlGaSb HFETs using high-k gate insulators
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Le résumé fourni par la source
We report on the fabrication and characterization of antimonide-based composite-channel InAs/AlGaSb HFETs. Antimonide-based compound semiconductors such as those of InAs combined with AlxGa1-xSb are candidates for high-speed and low-power digital applications. InAs/AlGaSb HFETs utilizing high-k (HfO2) gate insulator were fabricated using a Pd/Au ohmic metallization. The HFETs exhibited transconductance, gmand maximum drain current density, Idof 270 mS/mm, and 360mA/mm. Furthermore, InAs HFETs using the Ga2O3/HfO2stacks as a gate insulator and shows a gmof 318 mS/mm, that is, the transconductance was improved by using a Ga2O3dielectric.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Fabrication and characterization of antimonide-based composite-channel InAs/AlGaSb HFETs using high-k gate insulators
- Date Crossref
- 01/05/2011
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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