CDF run IIb silicon detector: the innermost layer
Rattachement africain : us, it, gb, jp, kr, fi, tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The innermost layer (L00) of the Run IIa silicon detector of CDF was planned to be replaced for the high luminosity Tevatron upgrade of Run IIb. This new silicon layer (L0) is designed to be a radiation tolerant replacement for the otherwise very similar L00 from Run IIa. The data are read out via long, fine-pitch, low-mass cables allowing the hybrids with the chips to sit at higher z(/spl sim/70 cm), outside of the tracking volume. The design and first results from the prototyping phase are presented. Special focus is placed on the amount and the structure of induced noise as well as signal-to-noise values.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- CDF run IIb silicon detector: the innermost layer
- Date Crossref
- 01/10/2004
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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