A stacked dielectric film for a silicon microstrip detector
12Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A stacked dielectric film for a silicon microstrip detector
- Date Crossref
- 01/07/1995
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
High Energy Accelerator Research Organization pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Seiko Holdings (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Seiko Instruments Inc. (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
The Graduate University for Advanced Studies Department of Accelerator Science pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
High Energy Accelerator Research Organization, Seiko Holdings (Japan) et Seiko Instruments Inc. (Japan), avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Semiconductor materials and devicesHigh voltage insulation and dielectric phenomenaAdvanced ceramic materials synthesis