GaAs-GaAlAs graded-index separate confinement heterostructure laser diodes selectively grown by molecular beam epitaxy on SiO2-masked substrates
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The GaAs-GaAlAs graded-index separate confinement heterostructure was grown selectively by molecular beam epitaxy on a SiO2-masked GaAs (100) substrate. The stripe windows on the SiO2 mask were 10 μm in width and were oriented along [011̄] direction. The laser diodes thus fabricated lased in a single longitudinal mode with a side mode suppression ratio of 95:1. Both the longitudinal mode and the single-lobe far-field pattern were stable up to 4Ith.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- GaAs-GaAlAs graded-index separate confinement heterostructure laser diodes selectively grown by molecular beam epitaxy on SiO2-masked substrates
- Date Crossref
- 21/09/1987
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of California Electronic Research Laboratory pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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IBM T. J. Watson Research Center pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Electronic Research Laboratory — University of California et IBM T. J. Watson Research Center.
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