Enhancement of light output power of GaN-based vertical light emitting diodes by optimizing n-GaN thickness
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Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Enhancement of light output power of GaN-based vertical light emitting diodes by optimizing n-GaN thickness
- Date Crossref
- 01/10/2011
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Korea Innotech (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Korea University Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Kyungpook National University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Department of Light-Emitting Diode Business pays non établi dans la noticeInstitution
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School of Electronic and Electrical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Korea Innotech (South Korea), Department of Materials Science and Engineering — Korea University et Kyungpook National University, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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