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2013 article

Preparation and thermal stability of F-doped ZnO transparent conducting thin films

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1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Preparation and thermal stability of F-doped ZnO transparent conducting thin films
Date Crossref
01/04/2013
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Zhejiang University State Key Laboratory of Silicon Materials pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

State Key Laboratory of Silicon Materials — Zhejiang University.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

ZnO doping and propertiesGa2O3 and related materialsCopper-based nanomaterials and applications

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