Disturbless flash memory due to high boost efficiency on BiCS structure and optimal memory film stack for ultra high density storage device
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Program and erase operation on NAND-string of Bit-Cost Scalable (BiCS) flash memory has been successfully achieved. High boost efficiency of floating pillars and ONON (block oxide/charge SiN/tunnel oxide/tunnel SiN) structure as a memory film stack improve disturbance characteristics enough to realize tera-bit density of three dimensional flash memory. BiCS flash memory has become a more promising candidate for ultra high density memory.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Disturbless flash memory due to high boost efficiency on BiCS structure and optimal memory film stack for ultra high density storage device
- Date Crossref
- 01/12/2008
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Semiconductor Company TOSHIBA Corporation pays non établi dans la noticeEntreprise
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Toshiba Information Systems (Japan) Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
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Toshiba Information Systems Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
Toshiba (Japan), TOSHIBA Corporation — Semiconductor Company et Toshiba Information Systems (Japan) Corporation, avec 1 autre affiliation.
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