Effect of flash lamp annealing on electrical activation in boron-implanted polycrystalline Si thin films
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effect of flash lamp annealing on electrical activation in boron-implanted polycrystalline Si thin films
- Date Crossref
- 01/10/2014
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Hongik University Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Kyeonggi-Do 441-811 Viatron Technologies pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
Department of Materials Science and Engineering — Hongik University et Viatron Technologies — Kyeonggi-Do 441-811.
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