p -channel modulation-doped GaSb field-effect transistors
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
GaSb p-channel modulation-doped field-effect transistors based on a p-AlSb0.9As0.1/p-AlSb/GaSb structure have been fabricated. Transconductances as high as 50 ms/mm at room temperature and 220 to 283 ms/mm at 77 K were obtained for 1 μm gate-length devices. These 77 K transconductances represent the highest values reported for any compound p-channel heterojunction field-effect transistors.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- <i>p</i> -channel modulation-doped GaSb field-effect transistors
- Date Crossref
- 28/02/1991
- Éditeur
- Institution of Engineering and Technology (IET)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.