2013 conference-paper

Quantitative full 3D blooming analysis on 1.4um BSI CMOS image sensor

Mitsuhiro Sengoku, Hisao Yoshimura, Yuki Sugiura, Sakiko Shimizu, R. Hasumi, Makoto Monoi

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1Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

3D TCAD analysis of blooming for 1.4 μm CMOS image sensor (CIS) with two-shared pixel structure has been performed. Its blooming behavior has been modeled and clear design guidelines for potential control inside CIS pixels have been obtained.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Quantitative full 3D blooming analysis on 1.4um BSI CMOS image sensor
Date Crossref: 01/09/2013
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Toshiba (Japan) pays non établi dans la notice
Entreprise
Engineering System Service Office pays non établi dans la notice
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TCAD Group pays non établi dans la notice
Institution
Analog & Imaging IC Division pays non établi dans la notice
Institution
Analog & Imaging IC Div. pays non établi dans la notice
Institution
Kabushiki Kaisha Toshiba pays non établi dans la notice
Institution

Toshiba (Japan), Engineering System Service Office et TCAD Group, avec 3 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

CCD and CMOS Imaging SensorsInfrared Target Detection MethodologiesImage Processing Techniques and Applications

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