Dual implantation of Si+ + P+ into GaAs
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Dual implantation of Si+ + P+ into GaAs
- Date Crossref
- 01/07/1991
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shanghai Institute of Metallurgy pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology et Shanghai Institute of Metallurgy.
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