Low-temperature coefficient bulk acoustic wave composite resonators
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This letter reports on an acoustic bulk wave resonator structure having an absolute temperature coefficient of series or parallel resonant frequency of less than 4 ppm/°C over the temperature range −20 to +120 °C comparing favorably with that of conventional AT cut quartz. In addition, the resonant Q was 7600 for parallel and 7300 for series resonance at frequencies near 330 MHz for the fundamental mode. The resonator is composed of a unique composition of an AlN piezoelectric film sputtered on a single-crystal silicon membrane for a total thickness of less than 10 μ. The resonator coupling coefficient was found to be 2.5% corresponding to film coupling of 12%. The AlN films were prepared in a dc planar magnetron reactive sputtering system.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low-temperature coefficient bulk acoustic wave composite resonators
- Date Crossref
- 15/02/1982
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Iowa State University Ames Laboratory pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Ames National Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Ames Laboratory — Iowa State University et Ames National Laboratory.
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