Synthesis of CIS Nanoink and Its Absorber Layer without Selenization
Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Highly crystalline CIS nanoink was synthesized using highly efficient microwave route. Thin films of CIS were fabricated using the developed ink by drop casting method. XRD pattern of CIS thin films indicates that a chalcopyrite phase with good crystallinity can be obtained using developed ink and that the composition of precursor ink can be transferred directly to the thin film without change in the stoichiometry. The developed ink alleviates the need of organic binders/dispersant and high temperature selenization using highly toxic H2Se gas (or Na2Se as a Se source) after deposition of thin film absorber layer. UV-VIS-NIR absorption analysis indicates that CIS thin film has a band gap of around 1.18 eV.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Synthesis of CIS Nanoink and Its Absorber Layer without Selenization
- Date Crossref
- 23/05/2013
- Éditeur
- Hindawi Limited
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Bharat Heavy Electricals (India) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Centre for Nanotechnology pays non établi dans la noticeInstitution
Bharat Heavy Electricals (India) et Centre for Nanotechnology.
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