2009 article

Anomalous capacitance-voltage characteristics of Al/Al-rich Al2O3/p-Si capacitors and their reconstruction

Zhaoqin Liu, T. P. Chen, Yi Liu, Ming Chi Yang, J. I. Wong, Z. H. Cen, Sam S. Y. Zhang, Y. B. Li

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Le résumé fourni par la source

Anomalous capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/Al-rich Al2O3/p-Si capacitors have been observed. The measured C-V curves exhibit rolloffs and frequency dispersion in the accumulation region and voltage stresses cause both horizontal and vertical shifts of the C-V curves. These anomalous behaviors are mainly due to the large current conduction and the charge trapping in the Al-rich Al2O3 layer. The anomalous C-V characteristics have been reconstructed based on a four-element circuit model. With the reconstructed C-V curves, the capacitance of the Al-rich Al2O3 layer and the charging-induced flatband voltage shift can be determined.

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Titre Crossref: Anomalous capacitance-voltage characteristics of Al/Al-rich Al2O3/p-Si capacitors and their reconstruction
Date Crossref: 15/06/2009
Éditeur: AIP Publishing
Type: journal-article

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Université ou école supérieure
University of Electronic Science and Technology of China pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials pays non établi dans la notice
Structure de recherche
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices pays non établi dans la notice
Structure de recherche
Harbin Institute of Technology pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure

Nanyang Technological University, University of Electronic Science and Technology of China et National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, avec 2 autres affiliations.

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