Preparation of novel SiGe-free strained Si on insulator substrates
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Le résumé fourni par la source
A novel SiGe-free SSOI substrate technology has been described. This method enables the fabrication of well controlled, epitaxially-defined, thin strained Si layers directly on insulator layers. Tensile strain levels of greater than 1% have been demonstrated in these structures, and are not diminished after thermal anneal cycles. The strain-inducing relaxed SiGe layer is absent from the final structure, eliminating some of the key problems inherent to other SSOI solutions.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Preparation of novel SiGe-free strained Si on insulator substrates
- Date Crossref
- 01/01/2002
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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AmberWave (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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AmberWave Systems Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
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AmberWave Syst. Corp. pays non établi dans la noticeInstitution
AmberWave (United States), AmberWave Systems Corporation et AmberWave Syst. Corp..
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