Multi-stacked 1G cell/layer Pipe-shaped BiCS Flash Memory
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A three-dimensional 16 stacked 1G cell/layer Pipe-shaped Bit-Cost Scalable (P-BiCS) flash memory test chip with 60nm technology has been developed. The effective 1-bit cell size is 0.00082 um2. This paper describes the branched control gate configuration and the new erase operation which are suitable for P-BiCS flash memory. P-BiCS flash memory is one of the most promising candidates for realizing the future T-bit storage device.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
Où se fait cette recherche
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Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Semiconductor Company Toshiba Corporation pays non établi dans la noticeEntreprise
Toshiba (Japan) et Toshiba Corporation — Semiconductor Company.
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